Задание 1, страница 234 - гдз по физике 10 класс учебник Громыко, Зенькович

Физика, 10 класс Учебник, авторы: Громыко Елена Владимировна, Зенькович Владимир Иванович, Луцевич Александр Александрович, Слесарь Инесса Эдуардовна, издательство Адукацыя i выхаванне, Минск, 2019, бирюзового цвета

Авторы: Громыко Е. В., Зенькович В. И., Луцевич А. А., Слесарь И. Э.

Тип: Учебник

Издательство: Адукацыя i выхаванне

Год издания: 2019 - 2025

Цвет обложки: бирюзовый

ISBN: 978-985-599-140-4

Допущено Министерством образования Республики Беларусь

Популярные ГДЗ в 10 классе

Глава 6. Электрический ток в различных средах. Параграф 37. Электрический ток в полупроводниках. Собственная и примесная проводимости полупроводников. От теории к практике - страница 234.

Задание 1 (с. 234)
Условие. Задание 1 (с. 234)
скриншот условия
Физика, 10 класс Учебник, авторы: Громыко Елена Владимировна, Зенькович Владимир Иванович, Луцевич Александр Александрович, Слесарь Инесса Эдуардовна, издательство Адукацыя i выхаванне, Минск, 2019, бирюзового цвета, страница 234, Условие

1. Для сортировки и счёта деталей широко применяют фоторезисторы. Каким свойством полупроводников можно объяснить действие этого прибора?

Решение. Задание 1 (с. 234)
Физика, 10 класс Учебник, авторы: Громыко Елена Владимировна, Зенькович Владимир Иванович, Луцевич Александр Александрович, Слесарь Инесса Эдуардовна, издательство Адукацыя i выхаванне, Минск, 2019, бирюзового цвета, страница 234, Решение
Решение 2. Задание 1 (с. 234)

Решение

Действие фоторезистора, который широко применяется для сортировки и счёта деталей, основано на свойстве полупроводников, называемом внутренним фотоэффектом или фотопроводимостью.

Суть этого свойства заключается в следующем. В отсутствие освещения полупроводниковый материал обладает высоким электрическим сопротивлением, поскольку в нём мало свободных носителей заряда — электронов и «дырок».

Когда на полупроводник падает свет, фотоны, из которых состоит свет, поглощаются материалом. Если энергия фотона ($E = h\nu$, где $h$ — постоянная планка, $\nu$ — частота света) оказывается достаточной (не меньше ширины запрещённой зоны полупроводника $E_g$), она идёт на разрыв ковалентных связей в атомах полупроводника. В результате этого процесса образуются новые свободные носители заряда — пары электрон-дырка.

Увеличение концентрации свободных носителей заряда приводит к резкому увеличению электропроводности материала и, соответственно, к уменьшению его электрического сопротивления. Интенсивность света напрямую влияет на количество генерируемых носителей заряда: чем ярче свет, тем ниже сопротивление фоторезистора.

В системах сортировки и счёта деталей эта зависимость используется так: световой луч направлен на фоторезистор. Когда деталь пересекает луч, она временно его блокирует. Освещённость фоторезистора падает, его сопротивление резко возрастает. Это изменение сопротивления вызывает изменение тока или напряжения в электрической цепи, которое фиксируется электронным устройством, и таким образом регистрируется прохождение детали.

Ответ: Действие фоторезистора объясняется свойством полупроводников изменять своё электрическое сопротивление под действием света (внутренний фотоэффект).

Помогло решение? Оставьте отзыв в комментариях ниже.

Присоединяйтесь к Телеграм-группе @gdz_by_belarus

Присоединиться

Мы подготовили для вас ответ c подробным объяснением домашего задания по физике за 10 класс, для упражнения Задание 1 расположенного на странице 234 к учебнику 2019 года издания для учащихся школ и гимназий.

Теперь на нашем сайте ГДЗ.ТОП вы всегда легко и бесплатно найдёте условие с правильным ответом на вопрос «Как решить ДЗ» и «Как сделать» задание по физике к упражнению Задание 1 (с. 234), авторов: Громыко (Елена Владимировна), Зенькович (Владимир Иванович), Луцевич (Александр Александрович), Слесарь (Инесса Эдуардовна), учебного пособия издательства Адукацыя i выхаванне.