Номер 1280, страница 289 - гдз по физике 10 класс сборник задач Дорофейчик, Белая
Авторы: Дорофейчик В. В., Белая О. Н.
Тип: Сборник задач
Издательство: Национальный институт образования
Год издания: 2022 - 2025
Уровень обучения: базовый и повышенный
Цвет обложки: синий
ISBN: 978-985-893-022-6
Допущено Министерством образования Республики Беларусь
Популярные ГДЗ в 10 классе
Раздел 2. Электродинамика. Часть 6. Электрический ток в различных средах. 28. Электрический ток в полупроводниках - номер 1280, страница 289.
№1280 (с. 289)
Условие. №1280 (с. 289)
скриншот условия
1280. Возможен случай, когда в кристалл полупроводника введено равное число атомов донорной и акцепторной примесей. Как это повлияло на проводимость полупроводника?
Решение. №1280 (с. 289)
Решение
Введение в кристалл чистого полупроводника донорной примеси (атомов с большей валентностью) приводит к появлению избыточных свободных электронов, и полупроводник становится электронного типа (n-типа). Введение акцепторной примеси (атомов с меньшей валентностью) приводит к появлению "дырок" (вакантных мест для электронов), и полупроводник становится дырочного типа (p-типа).
Когда в кристалл полупроводника вводят равное число атомов донорной ($N_d$) и акцепторной ($N_a$) примесей, так что $N_d = N_a$, происходит процесс, называемый компенсацией. Свободные электроны, поставляемые донорными атомами, занимают вакантные места (дырки), созданные акцепторными атомами. В результате этого процесса рекомбинации концентрация свободных носителей заряда (и электронов, и дырок) возвращается к значению, характерному для собственного (чистого) полупроводника при данной температуре.
Однако, несмотря на восстановление концентрации носителей заряда, проводимость полупроводника не возвращается к исходному значению. После компенсации в кристаллической решетке остаются неподвижные ионы примесей: положительно заряженные ионы доноров и отрицательно заряженные ионы акцепторов. Эти ионы нарушают идеальную периодическую структуру кристалла и выступают в качестве дополнительных центров рассеяния для движущихся носителей заряда (электронов и дырок).
Рассеяние на ионах примеси приводит к уменьшению подвижности носителей заряда ($\mu_n$ для электронов и $\mu_p$ для дырок). Удельная проводимость полупроводника ($\sigma$) зависит как от концентрации носителей ($n$ и $p$), так и от их подвижности, что выражается формулой $\sigma = q(n\mu_n + p\mu_p)$, где $q$ — элементарный заряд. Поскольку концентрации $n$ и $p$ примерно равны концентрациям в чистом полупроводнике, а подвижности $\mu_n$ и $\mu_p$ уменьшились из-за дополнительного рассеяния, итоговая проводимость скомпенсированного полупроводника окажется ниже, чем проводимость чистого (собственного) полупроводника.
Ответ: Проводимость полупроводника уменьшится. Она станет даже ниже, чем у чистого (собственного) полупроводника, так как ионы введенных примесей создают дефекты в кристаллической решетке, которые уменьшают подвижность носителей заряда из-за дополнительного рассеяния.
Другие задания:
Помогло решение? Оставьте отзыв в комментариях ниже.
Присоединяйтесь к Телеграм-группе @gdz_by_belarus
ПрисоединитьсяМы подготовили для вас ответ c подробным объяснением домашего задания по физике за 10 класс, для упражнения номер 1280 расположенного на странице 289 к сборнику задач 2022 года издания для учащихся школ и гимназий.
Теперь на нашем сайте ГДЗ.ТОП вы всегда легко и бесплатно найдёте условие с правильным ответом на вопрос «Как решить ДЗ» и «Как сделать» задание по физике к упражнению №1280 (с. 289), авторов: Дорофейчик (Владимир Владимирович), Белая (Ольга Николаевна), базовый и повышенный уровень обучения учебного пособия издательства Национальный институт образования.